Dépôt Par Ald De Couches Ultra-Minces En Sulfure De Vanadium Pour La Réalisation De Contacts Pe[...]

Le but principal de cette recherche est de développer et d'évaluer le potentiel du sulfure de vanadium, déposé sous la forme de couches atomiques, pour la réalisation de contact électrique efficace sur les transistors de prochaine génération fondés sur des semi-conducteurs dichalcogénure 2D. L'étudiant(e) réalisera le dépôt en couches atomiques (ALD) de films ultra-minces VSx au LMGP, dans un réacteur dédié permettant de réaliser des caractérisations optique, chimique et structurale in situ, notamment avec rayonnement synchrotron, dans le but de comprendre et maîtriser les mécanismes de croissance et les changements structuraux survenant lors de la cristallisation. Elle/il étudiera les propriétés électriques des films de VSx et des hétérostructures VSx/MoS2.
Début de la thèse : 01/10/2024
Funding category : Plan Investissement d'Avenir (Idex, Labex)
Le candidat doit être engagé dans un programme de master de recherche en physique, chimie ou science des matériaux. Il/elle doit être motivé(e) par un travail à forte composante expérimentale (synthèse, caractérisations chimique, structurales et électrique). Il/elle doit faire preuve de capacité et d'initiative pour aller au cœur du problème et le traiter ; de bonnes compétences en matière de communication et d'organisation sont requises. Des connaissances en chimie moléculaire seraient appréciées.
The candidate must be engaged in a research master program in physics, chemistry or material science or closely related sciences. She/he should also have ability and initiative to get to the heart of the problem and bring it to completion; good communication, organizational and scientific skills are required.

#J-18808-Ljbffr